集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和專用集成電路。

按外形分

集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型（穩(wěn)定性好，體積小）和雙列直插型。

世界集成電路發(fā)展歷史

1947年：美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的約翰·巴丁、布拉頓、肖克萊三人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展

中第一個(gè)里程碑；

1950年：結(jié)型晶體管誕生

1950年： R Ohl和肖克萊發(fā)明了離子注入工藝

1951年：場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明

1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝

1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；

1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝

1962年：美國RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝

1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍

1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門），為現(xiàn)如今的大規(guī)模集成電路發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，具有里程碑意義

1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司

1971年：Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)

1971年：全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明

1974年：RCA公司推出第一個(gè)CMOS微處理器1802

1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世

1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來臨

1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC

1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

1985年：80386微處理器問世，20MHz

1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場(chǎng)

1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問世

1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝

1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；

1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝2000年：1Gb RAM投放市場(chǎng)

2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝

2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。

2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。

2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。

2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。

我國集成電路發(fā)展歷史：

我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：

1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件

1978年-1990年：主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化

1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服

務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。

       集成電路產(chǎn)業(yè)是對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場(chǎng)銷售額的總體描述，它不僅僅包含集成電路市場(chǎng)，也包括IP核市場(chǎng)、EDA市場(chǎng)、芯片代工市場(chǎng)、封測(cè)市場(chǎng)，甚至延伸至設(shè)備、材料市場(chǎng)。集成電路產(chǎn)業(yè)不再依賴CPU、存儲(chǔ)器等單一器件發(fā)展，移動(dòng)互聯(lián)、三網(wǎng)融合、多屏互動(dòng)、智能終端帶來了多重市場(chǎng)空間，商業(yè)模式不斷創(chuàng)新為市

場(chǎng)注入新活力。

       目前我國集成電路產(chǎn)業(yè)已具備一定基礎(chǔ)，多年來我國集成電路產(chǎn)業(yè)所聚集的技術(shù)創(chuàng)新活力、市場(chǎng)拓展能

力、資源整合動(dòng)力以及廣闊的市場(chǎng)潛力，為產(chǎn)業(yè)在未來5年～10年實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展、邁上新的臺(tái)階奠定了基礎(chǔ)。